نقطه عطف صنعتی در تولید تراشه‌های پیشرفته

یک شرکت پیشرو در صنعت نیمه‌هادی موفق شده است برای نخستین‌بار ویفرهای سیلیکون کاربید با قطر ۳۰۰ میلی‌متر را تولید کند؛ دستاوردی که می‌تواند هزینه تولید تراشه‌ها را کاهش داده و مسیر توسعه صنایع انرژی، خودروهای برقی و فناوری‌های پیشرفته را دگرگون کند.

کد خبر: ۱۳۵۵۱۸۲

تاریخ: ۱۳ بهمن ۱۴۰۴ - ۱۱:۵۷

به گزارش سرویس علم و فناوری تابناک، شرکت آمریکایی «وُلف‌اسپید» اعلام کرده است که به فناوری تولید ویفرهای سیلیکون کاربید (SiC) با قطر ۳۰۰ میلی‌متر دست یافته است؛ فناوری‌ای که تاکنون به‌دلیل پیچیدگی فنی، تنها در مقیاس‌های کوچک‌تر امکان‌پذیر بود.

سیلیکون کاربید یکی از مواد کلیدی در تولید قطعات الکترونیکی قدرت به شمار می‌رود و نقش مهمی در صنایعی مانند خودروهای برقی، زیرساخت‌های انرژی، تجهیزات صنعتی پیشرفته و مراکز داده ایفا می‌کند. این ماده در مقایسه با سیلیکون معمولی، تحمل دمای بالاتر، اتلاف انرژی کمتر و بازده الکتریکی بیشتری دارد.

افزایش قطر ویفر به ۳۰۰ میلی‌متر باعث می‌شود تعداد بیشتری تراشه از هر ویفر تولید شود؛ موضوعی که به گفته کارشناسان، هزینه نهایی تولید را کاهش داده و ظرفیت صنعتی را افزایش می‌دهد. این تحول می‌تواند زنجیره تأمین قطعات الکترونیکی پیشرفته را تقویت کرده و پاسخ‌گوی رشد تقاضا در حوزه‌هایی مانند هوش مصنوعی و انرژی پاک باشد.

تحلیل‌گران صنعتی معتقدند این دستاورد، سیلیکون کاربید را یک گام به تبدیل‌شدن به استاندارد اصلی صنعت الکترونیک قدرت نزدیک‌تر می‌کند و می‌تواند توازن رقابت جهانی در بازار نیمه‌هادی‌ها را تغییر دهد.